📝 半導体デバイスの構造に関する専門用語
背栅结构可以有效控制晶体管的阈值电压。
(Bèishān jiégòu kěyǐ yǒuxiào kòngzhì jīngtǐguǎn de yùzhí diànyā.)
バックゲート構造はトランジスタの閾値電圧を効果的に制御できる。
该芯片采用了双栅极设计，包括前栅和背栅。
(Gāi xīnpiàn cǎiyòng le shuāng zhájí shèjì, bāokuò qiánshān hé bèishān.)
このチップはフロントゲートとバックゲートを含むダブルゲート設計を採用している。
通过调节背栅电压可以优化器件性能。
(Tōngguò tiáojié bèishān diànyā kěyǐ yōuhuà qìjiàn xìngnéng.)
バックゲート電圧を調整することでデバイス性能を最適化できる。
