名詞
正孔移動度。半導体中で正孔が移動する速度の電界に対する比。
📝 半導体物理の用語。素子性能を左右する指標。
硅的空穴迁移率比电子低。
(guī de kòngxué qiānyílǜ bǐ diànzǐ dī.)
シリコンの正孔移動度は電子より低い。
提高空穴迁移率有助于器件性能。
(tígāo kòngxué qiānyílǜ yǒuzhù yú qìjiàn xìngnéng.)
正孔移動度を高めると素子性能の向上に役立つ。
研究测量了材料的空穴迁移率。
(yánjiū cèliáng le cáiliào de kòngxué qiānyílǜ.)
研究では材料の正孔移動度を測定した。
⚖️ 類義語との比較
「空穴迁移率」は正孔の移動しやすさを表し、「电子迁移率」は電子の移動しやすさを表す。半導体ではこの二つの差が動作特性に影響する。
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生成日:
2026/06/03 00:11
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★☆☆☆ AI生成 (未検証)
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